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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FCPF190N65S3L1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF190N65S3L1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
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12847029
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FCPF190N65S3L1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1225 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FCPF190N65S3L1
HTML-Datenblatt
FCPF190N65S3L1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-FCPF190N65S3L1-OS
ONSONSFCPF190N65S3L1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF28N60DM2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
991
TEILNUMMER
STF28N60DM2-DG
Einheitspreis
1.53
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