Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FCP260N65S3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP260N65S3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12850973
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FCP260N65S3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1010 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP260
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FCP260N65S3
HTML-Datenblatt
FCP260N65S3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK14E65W,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
50
TEILNUMMER
TK14E65W,S1X-DG
Einheitspreis
1.25
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPP65R225C7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPP65R225C7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.13
ERSATZART
Similar
Teilenummer
STP18N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
896
TEILNUMMER
STP18N65M5-DG
Einheitspreis
1.26
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPP60R280CFD7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
240
TEILNUMMER
IPP60R280CFD7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.08
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IXTP20N65XM
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP20N65XM-DG
Einheitspreis
6.40
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDN357N
MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F