Hersteller Produktnummer:
FDU6N25
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDU6N25-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12850989
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FDU6N25 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
FDU6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFU224PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFU224PBF-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
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