Hersteller Produktnummer:
FCP150N65F
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP150N65F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12849961
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FCP150N65F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3737 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
298W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FCP150N65F-DG
FCP150N65FOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP60R190P6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5594
TEILNUMMER
IPP60R190P6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.19
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