Hersteller Produktnummer:
IPP60R190P6XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP60R190P6XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
5594 Stück Neu Original Auf Lager
12803291
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPP60R190P6XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 630µ
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP60R190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
IPP60R190P6XKSA1-DG
SP001017066
448-IPP60R190P6XKSA1
2156-IPP60R190P6XKSA1
IPP60R190P6-DG
IPP60R190P6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPP60R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
IPS20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
