Hersteller Produktnummer:
FCP11N60N-F102
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP11N60N-F102-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
12839064
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FCP11N60N-F102 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1505 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCP11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FCP11N60N_F102
FCP11N60N_F102-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP12N65X2M
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP12N65X2M-DG
Einheitspreis
2.40
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