IXTP12N65X2M
Hersteller Produktnummer:

IXTP12N65X2M

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTP12N65X2M-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventar:

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IXTP12N65X2M Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IXTP12

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXTP12N65X2M
HTML-Datenblatt
IXTP12N65X2M-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STFU18N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
925
TEILNUMMER
STFU18N65M2-DG
Einheitspreis
1.09
ERSATZART
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1.27
ERSATZART
Direct
Teilenummer
STF13NM60ND
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
672
TEILNUMMER
STF13NM60ND-DG
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cr
certification_015
certification_08
esd
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