Hersteller Produktnummer:
FCH099N65S3_F155
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCH099N65S3_F155-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12846774
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FCH099N65S3_F155 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2480 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH099
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM60NB099PW C1G
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
2055
TEILNUMMER
TSM60NB099PW C1G-DG
Einheitspreis
4.18
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