Hersteller Produktnummer:
FQP19N20
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP19N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12846790
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FQP19N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP19
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FQP19N20-DG
ONSONSFQP19N20
FQP19N20FS
2156-FQP19N20-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF640PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
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IRF640PBF-DG
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