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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FCH067N65S3-F155
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCH067N65S3-F155-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
900 Stück Neu Original Auf Lager
12930709
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FCH067N65S3-F155 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3090 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
312W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH067
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FCH067N65S3-F155
HTML-Datenblatt
FCH067N65S3-F155-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
FCH067N65S3_F155
FCH067N65S3-F155OS
FCH067N65S3_F155-DG
FCH067N65S3-F155-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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