AOI21357
Hersteller Produktnummer:

AOI21357

Product Overview

Hersteller:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Teilenummer:

AOI21357-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 23A (Ta), 70A (Tc) 6.2W (Ta), 78W (Tc) Through Hole TO-251A

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AOI21357 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2830 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251A
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
AOI21

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
70
Andere Namen
785-1836
AOI21357-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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