Hersteller Produktnummer:
IPD90N04S3H4ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD90N04S3H4ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12849561
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IPD90N04S3H4ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 65µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3H4ATMA1TR
SP000415584
IPD90N04S3-H4-DG
INFINFIPD90N04S3H4ATMA1
2156-IPD90N04S3H4ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD120N4F6
HERSTELLER
STMicroelectronics
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6011
TEILNUMMER
STD120N4F6-DG
Einheitspreis
0.76
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STD95N4LF3
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STD95N4LF3-DG
Einheitspreis
0.72
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