Hersteller Produktnummer:
EFC6601R-A-TR
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
EFC6601R-A-TR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Inventar:
12924223
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EFC6601R-A-TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
-
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-XFBGA, FCBGA
Gerätepaket für Lieferanten
EFCP2718-6CE-020
Basis-Produktnummer
EFC6601
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
2156-EFC6601R-A-TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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