Hersteller Produktnummer:
NVMD4N03R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMD4N03R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2456 Stück Neu Original Auf Lager
12924750
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NVMD4N03R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400pF @ 20V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NVMD4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NVMD4N03R2G-DG
488-NVMD4N03R2GCT
488-NVMD4N03R2GTR
488-NVMD4N03R2GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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