BC637G
Hersteller Produktnummer:

BC637G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

BC637G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 60V 1A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventar:

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12835458
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BC637G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
BC637

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
ONSONSBC637G
BC637G-DG
2156-BC637G-ON
BC637GOS

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
KSD1616AGBU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
38687
TEILNUMMER
KSD1616AGBU-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
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ZTX451STZ
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0
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ZTX451STZ-DG
Einheitspreis
0.19
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certification_01
certification_02
certification_03
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cr
certification_015
certification_08
esd
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