Hersteller Produktnummer:
KSD1616AGBU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
KSD1616AGBU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
38687 Stück Neu Original Auf Lager
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KSD1616AGBU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
750 mW
Frequenz - Übergang
160MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
KSD1616
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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