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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
2SK4065-DL-1E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SK4065-DL-1E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventar:
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2SK4065-DL-1E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12200 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
2SK4065
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS3307ZTRRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
768
TEILNUMMER
IRFS3307ZTRRPBF-DG
Einheitspreis
1.22
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