Hersteller Produktnummer:
IPB80N06S4L07ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80N06S4L07ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12803497
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB80N06S4L07ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5680 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB80N06S4L07ATMA2CT
SP001028674
448-IPB80N06S4L07ATMA2TR
448-IPB80N06S4L07ATMA2DKR
IPB80N06S4L07ATMA2-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR1205TRR
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IRFH7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
IPU95R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
