2SD1816S-E
Hersteller Produktnummer:

2SD1816S-E

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2SD1816S-E-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 100V 4A TP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP

Inventar:

12837853
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2SD1816S-E Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
180MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
TP
Basis-Produktnummer
2SD1816

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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