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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FJN3301RTA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJN3301RTA-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 250MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12837873
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FJN3301RTA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
300 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
FJN330
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FJN3301RTA
HTML-Datenblatt
FJN3301RTA-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
FJN3301RTATB
FJN3301RTACT
FJN3301RTA-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMUN2232LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
35191
TEILNUMMER
MMUN2232LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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