Hersteller Produktnummer:
2SC3143-4-TB-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3143-4-TB-E-DG
Beschreibung:
TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 80 mA 150MHz 200 mW Surface Mount 3-CP
Inventar:
18000 Stück Neu Original Auf Lager
12941183
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2SC3143-4-TB-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
700mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
90 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
3-CP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
833
Andere Namen
ONSONS2SC3143-4-TB-E
2156-2SC3143-4-TB-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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