Hersteller Produktnummer:
2SC6017-H-TL-E
Product Overview
Hersteller:
Sanyo
Teilenummer:
2SC6017-H-TL-E-DG
Beschreibung:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Surface Mount DPAK/TP-FA
Inventar:
1314 Stück Neu Original Auf Lager
12941187
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2SC6017-H-TL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
360mV @ 250mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Leistung - Max
950 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK/TP-FA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,314
Andere Namen
ONSSNY2SC6017-H-TL-E
2156-2SC6017-H-TL-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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