Hersteller Produktnummer:
2SB1508R
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SB1508R-DG
Beschreibung:
2SB1508 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 12 A 10MHz 3 W Through Hole TO-3PML
Inventar:
905 Stück Neu Original Auf Lager
12973604
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2SB1508R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 300mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Leistung - Max
3 W
Frequenz - Übergang
10MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PML
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
293
Andere Namen
2156-2SB1508R-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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