Hersteller Produktnummer:
PBSS5630PA,115
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
PBSS5630PA,115-DG
Beschreibung:
NEXPERIA PBSS5630PA - SMALL SIGN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 6 A 80MHz 2.1 W Surface Mount 3-HUSON (2x2)
Inventar:
1582394 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
PBSS5630PA,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
350mV @ 300mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
190 @ 2A, 2V
Leistung - Max
2.1 W
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-PowerUDFN
Gerätepaket für Lieferanten
3-HUSON (2x2)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,325
Andere Namen
2156-PBSS5630PA,115-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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