Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
PSMN016-100XS,127
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PSMN016-100XS,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 32.1A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 32.1A (Tc) 46.1W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12811980
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PSMN016-100XS,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2404 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
PSMN0
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
934066045127
2156-PSMN016-100XS127-NX
PSMN016100XS127
PSMN016-100XS127
568-9500-5
NEXNXPPSMN016-100XS,127
PSMN016-100XS,127-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFI4321PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
13201
TEILNUMMER
IRFI4321PBF-DG
Einheitspreis
1.47
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PSMN005-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
PHD98N03LT,118
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
PH6030L,115
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56