Hersteller Produktnummer:
PSMN8R5-108ESQ
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PSMN8R5-108ESQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 108 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12811991
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PSMN8R5-108ESQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
108 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5512 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
263W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
PSMN8
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
568-11432-5
934068134127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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