Hersteller Produktnummer:
PMWD19UN,518
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PMWD19UN,518-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12812285
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PMWD19UN,518 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1478pF @ 10V
Leistung - Max
2.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
PMWD19
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
934057598518
568-2361-6
PMWD19UN518
PMWD19UN /T3
568-2361-1
568-2361-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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