Hersteller Produktnummer:
PMGD8000LN,115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PMGD8000LN,115-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventar:
12812320
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PMGD8000LN,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
125mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
18.5pF @ 5V
Leistung - Max
200mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSSOP
Basis-Produktnummer
PMGD8
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
568-2370-6
934057621115
954-PMGD8000LN115
PMGD8000LN T/R
568-2370-1
568-2370-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NX3020NAKS,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
73690
TEILNUMMER
NX3020NAKS,115-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
UM6K1NTN
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
251614
TEILNUMMER
UM6K1NTN-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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