PMPB33XN,115
Hersteller Produktnummer:

PMPB33XN,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PMPB33XN,115-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4.3A (Ta) 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6

Inventar:

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PMPB33XN,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
505 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010B-6
Paket / Koffer
6-XFDFN Exposed Pad

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,378
Andere Namen
NEXNXPPMPB33XN,115
2156-PMPB33XN,115

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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