Hersteller Produktnummer:
PMPB12UNE115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PMPB12UNE115-DG
Beschreibung:
NOW NEXPERIA PMPB12UNE 7.9A, 20V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 470mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventar:
12948023
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PMPB12UNE115 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 7.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
0.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1220 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
470mW (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020MD-6
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
PMPB12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,647
Andere Namen
2156-PMPB12UNE115
NEXNXPPMPB12UNE115
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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