Hersteller Produktnummer:
PMN16XNE115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PMN16XNE115-DG
Beschreibung:
NOW NEXPERIA PMN16XNE SMALL SIGN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12948026
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PMN16XNE115 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
0.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1136 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,699
Andere Namen
2156-PMN16XNE115
NEXNXPPMN16XNE115
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTMFS034N15MC
MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
STN4NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
FDBL9401-F085T6
MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF
