PMDPB95XNE,115
Hersteller Produktnummer:

PMDPB95XNE,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PMDPB95XNE,115-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 2.4A 475mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventar:

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PMDPB95XNE,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
143pF @ 15V
Leistung - Max
475mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
6-HUSON (2x2)
Basis-Produktnummer
PMDPB95

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-PMDPB95XNE115-NXTR
934067055115
568-10764-6
NEXNXPPMDPB95XNE,115
568-10764-1
568-10764-2
PMDPB95XNE,115-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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