Hersteller Produktnummer:
PMWD30UN,518
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PMWD30UN,518-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12811658
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PMWD30UN,518 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1478pF @ 10V
Leistung - Max
2.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
PMWD30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
568-2364-1
568-2364-2
PMWD30UN /T3
PMWD30UN518
934057599518
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
VQ1006P-2
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
PMWD15UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
