Hersteller Produktnummer:
HUF75545P3
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
HUF75545P3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12947662
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HUF75545P3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
270W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
210
Andere Namen
FAIFSCHUF75545P3
2156-HUF75545P3
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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