NX3008NBKMB315

Hersteller Produktnummer:

NX3008NBKMB315

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

NX3008NBKMB315-DG

Beschreibung:

NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 530mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12947544

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

NX3008NBKMB315 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

NXP Semiconductors

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

530mA (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.8V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

680 pC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

50 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

DFN1006B-3

Paket / Koffer

SC-101, SOT-883

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NX3008NBKMB315-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

9,552

Andere Namen

2156-NX3008NBKMB315

NEXNXPNX3008NBKMB315

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

CMS10P10D-HF

MOSFET P-CH 100V 10A DPAK

onsemi

NTMFD001N03P9

POWER MOSFET, N-CHANNEL POWERTRE

fairchild-semiconductor

FDME820NZT

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

stmicroelectronics

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8SO