Hersteller Produktnummer:
FDME820NZT
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDME820NZT-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Inventar:
9500 Stück Neu Original Auf Lager
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FDME820NZT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
865 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paket / Koffer
6-PowerUFDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
760
Andere Namen
FAIFSCFDME820NZT
2156-FDME820NZT
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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