Hersteller Produktnummer:
BC857BQAZ
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
BC857BQAZ-DG
Beschreibung:
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventar:
85000 Stück Neu Original Auf Lager
12967836
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BC857BQAZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
45 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Leistung - Max
280 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010D-3
Basis-Produktnummer
BC857
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
9,947
Andere Namen
2156-BC857BQAZ-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NJVMJB41CT4G
TRANS NPN D2PAK
2SD1111-AA
TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP
BC846BW/ZLF
NEXPERIA BC846 - 65V, 100MA NPN
