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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
PMBT4403YSX
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
PMBT4403YSX-DG
Beschreibung:
NEXPERIA PMBT4403YS - 40V, 600 M
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
300000 Stück Neu Original Auf Lager
12967856
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PMBT4403YSX Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
250 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
PMBT4403YSX
HTML-Datenblatt
PMBT4403YSX-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,724
Andere Namen
2156-PMBT4403YSX-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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