Hersteller Produktnummer:
NTE89
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
NTE89-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 600V 6A TO3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 6 A 3MHz 50 W Through Hole TO-3
Inventar:
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NTE89 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NTE Electronics, Inc.
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
600 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
5V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 1A, 5V
Leistung - Max
50 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE89
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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