JAN2N3636UB
Hersteller Produktnummer:

JAN2N3636UB

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JAN2N3636UB-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 175V 1A 3SMD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1.5 W Surface Mount UB

Inventar:

12923256
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

JAN2N3636UB Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
175 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/357
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-SMD, No Lead
Gerätepaket für Lieferanten
UB
Basis-Produktnummer
2N3636

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
1086-20887-MIL
1086-20887

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

BC547BBU

TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

nte-electronics-inc

NTE88MCP

TRANS PNP 250V 10A TO3

microchip-technology

2N4033UB

TRANS PNP 80V 1A UB

nte-electronics

NTE2408

TRANS NPN 65V 0.1A SOT23