PUMD2/DG/B3,135
Hersteller Produktnummer:

PUMD2/DG/B3,135

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PUMD2/DG/B3,135-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP

Inventar:

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PUMD2/DG/B3,135 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
230MHz, 180MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSSOP
Basis-Produktnummer
PUMD2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PUMD2/DG/B3,135
HTML-Datenblatt
PUMD2/DG/B3,135-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
934066961135

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
RN1903,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
50
TEILNUMMER
RN1903,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
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cr
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