PSMN3R0-60ES,127
Hersteller Produktnummer:

PSMN3R0-60ES,127

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PSMN3R0-60ES,127-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventar:

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PSMN3R0-60ES,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8079 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
306W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PSMN3R0-60ES,127
HTML-Datenblatt
PSMN3R0-60ES,127-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-PSMN3R0-60ES,127-1727
568-6906-5-DG
PSMN3R060ES127
1727-5437
568-6906-5
934064562127

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDI030N06
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDI030N06-DG
Einheitspreis
2.27
ERSATZART
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Teilenummer
IRFSL3306PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFSL3306PBF-DG
Einheitspreis
1.04
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TEILNUMMER
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Einheitspreis
0.88
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TEILNUMMER
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Einheitspreis
1.22
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