Hersteller Produktnummer:
PMV280ENEAR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMV280ENEAR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.1A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
31638 Stück Neu Original Auf Lager
12830617
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PMV280ENEAR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
190 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
580mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
PMV280
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
PMV280ENEAR-DG
1727-8341-1
1727-8341-2
1727-8341-6
934070697215
5202-PMV280ENEARTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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