Hersteller Produktnummer:
PSMN8R2-80YS,115
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN8R2-80YS,115-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 82A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
17587 Stück Neu Original Auf Lager
12830620
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EINREICHEN
PSMN8R2-80YS,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3640 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
PSMN8R2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
568-4904-1
568-4904-2-DG
1727-4272-1
568-4904-6-DG
568-4904-2
5202-PSMN8R2-80YS,115TR
1727-4272-2
568-4904-1-DG
934063935115
568-4904-6
1727-4272-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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