Hersteller Produktnummer:
PMPB08R6ENX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMPB08R6ENX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventar:
2475 Stück Neu Original Auf Lager
12953631
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PMPB08R6ENX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
840 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020MD-6
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
PMPB08
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
5202-PMPB08R6ENXTR
1727-PMPB08R6ENXDKR
1727-PMPB08R6ENXTR
934661978115
1727-PMPB08R6ENXCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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