Hersteller Produktnummer:
IPBE65R190CFD7AATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPBE65R190CFD7AATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-11
Inventar:
12953700
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IPBE65R190CFD7AATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 320µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1291 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-11
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
IPBE65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPBE65R190CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R190CFD7AATMA1TR
2156-IPBE65R190CFD7AATMA1
SP005398486
448-IPBE65R190CFD7AATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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