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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NHDTA114ETVL
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
NHDTA114ETVL-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
39940 Stück Neu Original Auf Lager
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NHDTA114ETVL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
NHDTA114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NHDTA114ETVL
HTML-Datenblatt
NHDTA114ETVL-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
934661359235
1727-NHDTA114ETVLCT
1727-NHDTA114ETVLDKR
1727-NHDTA114ETVLTR
5202-NHDTA114ETVLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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