Hersteller Produktnummer:
APTM120U10DAG
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APTM120U10DAG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
Inventar:
13252541
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APTM120U10DAG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
28900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3290W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SP6
Paket / Koffer
SP6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
APTM120U10DAG-ND
150-APTM120U10DAG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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