Hersteller Produktnummer:
APT20M19JVR
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT20M19JVR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 112A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventar:
13252593
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Menge
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APT20M19JVR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS V®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
495 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11640 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ISOTOP®
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
150-APT20M19JVR
APT20M19JVR-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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