APT58M50JCU3
Hersteller Produktnummer:

APT58M50JCU3

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

APT58M50JCU3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 58A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventar:

13257333
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

APT58M50JCU3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
543W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-APT58M50JCU3
APT58M50JCU3-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
microsemi

APT94N65B2C3G

MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX

microsemi

APT6M100K

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220

microchip-technology

APT8065SVRG

MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK

microchip-technology

APTM10DAM02G

MOSFET N-CH 100V 495A SP6